RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3950
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link