RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3635
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link