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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2393
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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