Comparación de la memoria RAM Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Puntuación global

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 42

En 36% menor latencia

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.2 13

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.4 8.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2318 2231

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns