Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 42
    Intorno 36% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 13
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 42
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.0 left arrow 14.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.0 left arrow 8.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2318 left arrow 2231
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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