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Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Comparar
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
27
42
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2318
2231
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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