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Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
比较
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
总分
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
42
读取速度,GB/s
13.0
14.2
写入速度,GB/s
8.0
8.4
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2318
2231
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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