Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Gesamtnote
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Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB

Unterschiede

Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 42
    Rund um 36% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 13
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 42
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.0 left arrow 14.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2318 left arrow 2231
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