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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
50
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
50
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2064
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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