Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 50
    Intorno 50% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.1 left arrow 10.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 7.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 50
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.1 left arrow 10.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 7.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2764 left arrow 2064
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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