Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 50
    Около 50% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 50
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.1 left arrow 10.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 7.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2764 left arrow 2064
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения