RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
10.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2064
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link