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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
75
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
75
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1735
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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