RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
75
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
75
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1735
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link