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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3803
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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