RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3803
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link