RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
33
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
21
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2833
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link