RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
59
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,855.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,168.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,855.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
680
3076
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link