RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3076
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link