RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2462

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
модули RAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
модули RAM