RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
47
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
39
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
11.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
1881
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link