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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston KTP9W1-MID 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
32
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
3424
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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