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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
54
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
54
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
1904
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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