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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
54
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
54
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
1904
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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