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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2808
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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