RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KM0VW4-MID 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
38
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2493
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link