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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KM0VW4-MID 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston KM0VW4-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KM0VW4-MID 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
38
读取速度,GB/s
8.0
14.7
写入速度,GB/s
7.3
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2493
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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