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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2592
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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