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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
42
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
42
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2352
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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