RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
42
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2352
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link