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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
33
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
21
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2337
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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