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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
74
En -270% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3120
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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