RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
74
Wokół strony -270% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3120
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link