RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
75
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
1735
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link