RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3120
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link