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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
16.2
写入速度,GB/s
7.5
11.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3120
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
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