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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
16.2
写入速度,GB/s
7.5
11.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3120
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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