RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
75
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
75
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1933
1735
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link