RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
43
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2497
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CM3X4GBA1600C9V4 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link