RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2497
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link