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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2832
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
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