Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 57
    En 51% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    19.1 left arrow 12.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 9.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 57
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.9 left arrow 19.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 10.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2112 left arrow 2377
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones