Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Gesamtnote
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 57
    Rund um 51% geringere Latenzzeit
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.1 left arrow 12.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 57
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 19.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2112 left arrow 2377
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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