RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
57
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2377
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link