RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
57
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
57
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2377
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link