RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
57
Autour de 51% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
57
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2377
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link