RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2136
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link