Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Puntuación global
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Puntuación global
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 33
    En -18% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    19.1 left arrow 8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    16.2 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    33 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.0 left arrow 19.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.3 left arrow 16.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1911 left arrow 3562
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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