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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Compara
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
39
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1775
2143
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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