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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

総合得点
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 39
    周辺 -5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.7 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1775 left arrow 2143

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