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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
37
读取速度,GB/s
12.8
13.2
写入速度,GB/s
7.7
8.4
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1775
2143
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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