SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    37 left arrow 39
    左右 -5% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.2 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 7.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    39 left arrow 37
  • 读取速度,GB/s
    12.8 left arrow 13.2
  • 写入速度,GB/s
    7.7 left arrow 8.4
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1775 left arrow 2143
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最新比较