Confronto tra le RAM SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 39

Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.2 12.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.4 7.7

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1775 2143

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns