RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
54
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3124
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link