RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3124
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link